[发明专利]具有MIM电容器的半导体器件有效
| 申请号： | 201710762899.4 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107799503B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 山田文生 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 李铭;崔利梅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了具有MIM电容器的半导体器件。一种半导体器件，其设置有电连接至金属层的焊盘和连接至焊盘的电容器。半导体器件在电容器的下电极与焊盘之间设置有绝缘膜。由于绝缘膜保护并隔离下电极而免受衬底过孔的蚀刻和过孔金属的沉积的影响，因此在形成过孔和过孔金属期间下电极不会引起空隙或间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 mim 电容器 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；半导体层，其设置在所述衬底上，所述半导体层和所述衬底具有从所述衬底的底部贯穿到所述半导体层的顶部的过孔，过孔金属设置在所述过孔中；焊盘，其设置在所述半导体层上并且与所述过孔金属电连接，所述焊盘完全覆盖所述过孔；第一绝缘膜，其覆盖所述焊盘；以及电容器，其设置在所述第一绝缘膜上，所述电容器从所述第一绝缘膜一侧起包括下电极、第二绝缘膜和上电极，其中，所述第一绝缘膜夹置于所述焊盘与所述电容器的下电极之间。
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