[发明专利]用于电解保护的二极管器件有效
| 申请号： | 201710763750.8 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107611182B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 何飞 | 申请（专利权）人： | 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人： | 孙彬 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于电解保护的二极管器件结构，包括P型基底材料，在所述P型基底材料上，从下到上依次设置有的第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；第一区域为在P型基底材料的背面进行的大面积的浓磷掺杂区域，该第一区域的方块电阻为0.2‑20Ω/m2，结深为3‑20μm；第二区域为P型基底材料无掺杂的本征区域；所述第三区域为在P型基底材料的上半部进行的淡磷掺杂区域，该第三区域的方块电阻为20‑100Ω/m2，结深10‑40μm；第四区域为在P型基底材料的上表面进行的浓硼掺杂区域；本发明提供一种用于电解保护的二极管器件结构，该结构具有过压保护功能，当两端电压达到一定程度后器件呈低阻状态。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电解 保护 二极管 器件 | ||
【主权项】：
一种用于电解保护的二极管器件结构，其特征在于：包括P型基底材料，在所述P型基底材料上，从下到上依次设置有的第一区域(1)、第二区域(2)、第三区域(3)和第四区域(4)；所述第一区域(1)为在P型基底材料的背面进行的大面积的浓磷掺杂区域，该第一区域(1)的方块电阻为0.2‑20Ω/m2，结深为3‑20μm；所述第二区域(2)为P型基底材料无掺杂的本征区域；所述第三区域(3)为在P型基底材料的上半部进行的淡磷掺杂区域，该第三区域(3)的方块电阻为20‑100Ω/m2，结深10‑40μm；所述第四区域(4)为在P型基底材料的上表面进行的浓硼掺杂区域，该第四区域(4)的方块电阻为0.2‑20Ω/m2，结深为1‑15μm；在所述第四区域(4)的上表面上还设置有表面钝化层(7)；上述四个区域形成NPNP型四层结构，此四层结构包括三个PN结，当第一区域(1)与第四区域(4)之间的正向电压使第二区域(2)与第三区域(3)之间的PN结J2击穿时，此四层结构呈导通状态。
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