[发明专利]一种掺杂碳纳米管的氧化硅阻变薄膜的制备方法有效
申请号: | 201710764056.8 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN107663633B | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | 李颖;赵高扬;刘晋成;张虎 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12;H01L45/00 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种掺杂碳纳米管的氧化硅阻变薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤1,分别制备氧化硅溶胶和碳纳米管‑无水乙醇混合溶液;步骤2,先按照20:0.5‑1的体积比分别量取经步骤1得到的氧化硅溶胶和碳纳米管‑无水乙醇混合溶液,然后将量取后的氧化硅溶胶和碳纳米管‑无水乙醇混合溶液混合,并在密封条件下搅拌均匀,得到碳纳米管‑氧化硅混合溶液;步骤3,选取基板,并采用浸渍提拉法使基板在经步骤3得到碳纳米管‑氧化硅混合溶液中提拉成膜,制备出碳纳米管‑氧化硅凝胶薄膜,之后对制备出的碳纳米管‑氧化硅凝胶薄膜进行热处理,最终得到掺杂碳纳米管的氧化硅阻变薄膜。 | ||
搜索关键词: | 碳纳米管 氧化硅 制备 薄膜 混合溶液 氧化硅溶胶 无水乙醇 氧化硅凝胶 掺杂 基板 混合溶液中 浸渍提拉法 热处理 密封条件 提拉成膜 体积比 量取 | ||
【主权项】:
1.一种掺杂碳纳米管的氧化硅阻变薄膜的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1,以碳纳米管粉末为溶质,无水乙醇为溶剂,制备浓度为10‑5g/mL的碳纳米管溶液;步骤2,按照20:0.5‑1的体积比分别量取氧化硅溶胶、经步骤1制备得到的碳纳米管溶液,将量取后的氧化硅溶胶和碳纳米管溶液混合并搅拌均匀,得到掺杂碳纳米管的氧化硅溶液;步骤3,选取基板,将基板置于经步骤2得到的掺杂碳纳米管的氧化硅溶液中,并采用浸渍提拉法在其表面提拉一层凝胶薄膜;步骤4,在惰性气体的保护下,对经步骤3提拉出的凝胶薄膜进行热处理,最终得到掺杂碳纳米管的氧化硅阻变薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
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