[发明专利]单向放电管的制作方法

摘要

本发明公开了一种单向放电管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：一次氧化；一次光刻：在SiO2钝化层上刻掉一部分用于局部掺杂的掺杂区；一次磷掺杂：在上述掺杂区进行淡磷掺杂，形成第三区域；一次硼掺杂：在对上述掺杂区进行淡磷掺杂后，再次对上述掺杂区进行浓硼掺杂，形成第四区域；二次磷掺杂：对硅器件的背面进行大面积浓磷掺杂，形成第一区域，第一区域与第三区域之间的无掺杂的本征硅器件构成第二区域；表面钝化：对硅器件的上表面进行钝化。本发明的方法工序简单，无需进行双面光刻，全程只需要3次光刻就能形成所需要的产品结构，使用该方法制备的单向放电管具有过压保护功能。

主权项

一种单向放电管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，一次氧化：在P型硅器件的上表面形成一层SiO2钝化层，该钝化层为后续进行局部掺杂提供掩蔽作用，该一次氧化的氧化温度900‑1150℃，氧化层厚度为0.5‑2.5μm；步骤S2，一次光刻：在SiO2钝化层上刻掉一部分用于局部掺杂的掺杂区；步骤S3，一次磷掺杂：在上述掺杂区进行淡磷掺杂，掺杂的方块电阻20‑100Ω/m2，结深10‑40μm，形成第三区域(3)；步骤S4，一次硼掺杂：在对上述掺杂区进行淡磷掺杂后，再次对上述掺杂区进行浓硼掺杂，掺杂的方块电阻0.2‑20Ω/m2，结深1‑15μm，形成第四区域(4)；步骤S5，二次磷掺杂：对硅器件的背面进行浓磷掺杂，掺杂的方块电阻0.2‑20Ω/□，结深3‑20μm，形成第一区域(1)，第一区域(1)与第三区域(3)之间的无掺杂的本征硅器件构成第二区域(2)；步骤S6，表面钝化：对硅器件的上表面进行钝化，形成表面钝化层(6)。