[发明专利]一种钙钛矿发光二极管及其制备方法有效
申请号: | 201710764857.4 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN107507918B | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 于军胜;王子君;高瞻;吴梦鸽 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 李小金;王正楠 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于电致发光器件技术领域,公开了一种钙钛矿发光二极管及其制备方法,用于解决现有钙钛矿二极管由于高启亮电压而造成的能源浪费和消耗的问题。本发明钙钛矿型电致发光器件,钙钛矿型电致发光器件的结构从下至上依次为衬底层、阳极层、空穴传输层、修饰层、发光层、电子传输层和阴极层,所述发光层为具有钙钛矿结构的发光材料,钙钛矿结构为有机/无机杂化ABX3型立方晶系结构;其中A为有机胺基团,B为第四主族金属,X为一元卤族元素或多元卤族元素的组合。 | ||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种钙钛矿型电致发光器件,钙钛矿型电致发光器件的结构从下至上依次为衬底层、阳极层、空穴传输层、修饰层、发光层、电子传输层和阴极层,其特征在于,所述发光层为具有钙钛矿结构的发光材料,钙钛矿结构为有机/无机杂化ABX3型立方晶系结构;其中A为有机胺基团,B为第四主族金属,X为一元卤族元素或多元卤族元素的组合,所述修饰层所用的材料为鸟嘌呤,所述空穴传输层所用的材料为3,4‑乙撑二氧噻吩混合聚苯乙烯磺酸盐、聚苯胺类有机导电聚合物中的一种或多种的共混物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710764857.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种OLED器件及其制备方法、显示装置
- 下一篇:一种有机电致发光器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择