[发明专利]一种钙钛矿发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710764857.4 申请日: 2017-08-30
公开(公告)号: CN107507918B 公开(公告)日: 2019-09-03
发明(设计)人: 于军胜;王子君;高瞻;吴梦鸽 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56;H01L51/54
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 李小金;王正楠
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于电致发光器件技术领域,公开了一种钙钛矿发光二极管及其制备方法,用于解决现有钙钛矿二极管由于高启亮电压而造成的能源浪费和消耗的问题。本发明钙钛矿型电致发光器件,钙钛矿型电致发光器件的结构从下至上依次为衬底层、阳极层、空穴传输层、修饰层、发光层、电子传输层和阴极层,所述发光层为具有钙钛矿结构的发光材料,钙钛矿结构为有机/无机杂化ABX3型立方晶系结构;其中A为有机胺基团,B为第四主族金属,X为一元卤族元素或多元卤族元素的组合。
搜索关键词: 一种 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种钙钛矿型电致发光器件,钙钛矿型电致发光器件的结构从下至上依次为衬底层、阳极层、空穴传输层、修饰层、发光层、电子传输层和阴极层,其特征在于,所述发光层为具有钙钛矿结构的发光材料,钙钛矿结构为有机/无机杂化ABX3型立方晶系结构;其中A为有机胺基团,B为第四主族金属,X为一元卤族元素或多元卤族元素的组合,所述修饰层所用的材料为鸟嘌呤,所述空穴传输层所用的材料为3,4‑乙撑二氧噻吩混合聚苯乙烯磺酸盐、聚苯胺类有机导电聚合物中的一种或多种的共混物。
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