[发明专利]半导体铜金属化结构在审
| 申请号： | 201710766922.7 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107799491A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 林育圣 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体铜金属化结构。半导体封装的实现方式可以包括包括焊盘的硅管芯，焊盘包括铝和铜；硅管芯的至少一部分上的钝化层，以及耦合到钝化层的聚酰亚胺(PI)、聚苯并恶唑(PBO)或者聚合树脂中的一种的层。封装可以包括耦合在焊盘上的第一铜层，第一铜层为1微米至20微米厚；耦合在第一铜层上的第二铜层，第二铜层可以为5微米至40微米厚；其中焊盘上第一铜层的宽度可以比焊盘上第二铜层的宽度宽。第一铜层和第二铜层可以被配置为与粗铜丝线键合或者与铜夹焊料接合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 金属化 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：硅管芯，包括焊盘，所述焊盘包括铝铜(AlCu)；铝铜硅(AlCuSi)；铝铜钨(AlCuW)；铝硅(AlSi)；以及其任何组合中的一种；钝化层，位于所述硅管芯的至少一部分上；聚酰亚胺(PI)、聚苯并恶唑(PBO)、聚合树脂、以及其任何组合中的一种的层，该层耦合到所述钝化层；第一铜层，耦合于所述焊盘以及聚酰亚胺(PI)、聚苯并恶唑(PBO)、聚合树脂、以及其任何组合中的一种的所述层的至少一部分之上，所述第一铜层为1微米至20微米厚；以及第二铜层，耦合于所述第一铜层之上，所述第二铜层为5微米至40微米厚；其中所述焊盘之上的所述第一铜层的宽度比所述焊盘之上的所述第二铜层的宽度宽；并且其中所述第一铜层和所述第二铜层被配置为与粗铜丝线进行键合或者用焊料与铜夹接合。
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