[发明专利]一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料及制备方法有效
| 申请号： | 201710767384.3 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107768518B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 邹华;胡益丰;朱小芹;张建豪;郑龙;孙月梅;袁丽;眭永兴 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 刘娟娟 |
| 地址： | 213001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子领域相变材料及其制备方法，特别是涉及一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料及制备方法。一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料，所述Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料是多层复合膜结构，由Al层和Ge10Sb90层交替沉积复合而成，将Al层和Ge10Sb90层作为一个交替周期，后一个交替周期的Al层沉积在前一个交替周期的Ge10Sb90层上方。本发明采用用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料，是一种新型相变材料，不仅热稳定性好，同时又保留其速度快、功耗低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 相变 存储器 al ge10sb90 晶格 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料，其特征在于：所述Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料是多层复合膜结构，由Al层和Ge10Sb90层交替沉积复合而成，将Al层和Ge10Sb90层作为一个交替周期，后一个交替周期的Al层沉积在前一个交替周期的Ge10Sb90层上方；所述Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料的膜结构用通式[Al(a)/Ge10Sb90(b)]x表示，其中a为单层Al层的厚度，a＝10nm；b为单层Ge10Sb90层的厚度，b＝2nm；x为Al层和Ge10Sb90层的交替周期数，x为5；所述多层复合膜其厚度满足(a+b)×x＝60nm。
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