[发明专利]屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种屏蔽栅沟槽功率器件，器件单元区的栅极结构包括第一深沟槽和位于其内侧表面的底部介质层；底部介质层在第一深沟槽中央区域围成宽度小于等于栅氧化层的厚度的2倍的间隙区；在间隙区中填充第一多晶硅层；第一深沟槽顶部区域的两侧面的底部介质层被去除形成顶部沟槽，顶部沟槽中形成有栅氧化层和多晶硅栅；顶部沟槽之间的第一多晶硅层在形成栅氧化层的同时被完全氧化并由氧化形成的第二氧化层使由未氧化的第一多晶硅层组成的源极多晶硅位于多晶硅栅底部，能减少源极多晶硅和多晶硅栅之间的寄生电容。本发明还公开了一种屏蔽栅沟槽功率器件的制造方法。本发明能降低器件的栅源寄生电容，改善器件的输入电容并提高器件的性能。

主权项

一种屏蔽栅沟槽功率器件，其特征在于，器件单元区的栅极结构包括：形成于半导体衬底中的第一深沟槽，在所述第一深沟槽的底部表面和侧面形成有底部介质层；所述底部介质层未将所述第一深沟槽完全填充而在所述第一深沟槽的中央区域形成有间隙区，所述间隙区的宽度小于等于栅氧化层的厚度的2倍；在所述间隙区中填充第一多晶硅层；位于所述第一深沟槽顶部区域的侧面的所述底部介质层被去除并在所述第一深沟槽的顶部区域的所述第一多晶硅层的两侧形成有顶部沟槽；栅氧化层形成于所述顶部沟槽的位于所述半导体衬底一侧的侧面上，所述顶部沟槽之间的所述第一多晶硅层在形成所述栅氧化层的同时被完全氧化形成第二氧化层；在侧面形成有所述栅氧化层和所述第二氧化层的所述顶部沟槽中填充有多晶硅栅；由所述第二氧化层底部的所述第一多晶硅层组成源极多晶硅；所述第二氧化层使所述源极多晶硅在纵向上位于所述多晶硅栅的底部，从而减少所述源极多晶硅和所述多晶硅栅之间的寄生电容。