[发明专利]半导体装置的制造方法与半导体装置有效
| 申请号： | 201710768125.2 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN108122993B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 侯拓宏;潘正圣;刘邦轩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法。包含场效晶体管装置的半导体装置包含基板与在基板上的二维材料所制成的通道结构。多个源极与漏极接触部分地形成于二维材料上。第一介电层至少部分地形成在通道结构上且至少部分地形成在源极与漏极接触上。第一介电层用以捕获多个电荷载子。第二介电层形成于第一介电层上，且栅极电极形成于第二介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：在一基板上形成一二维材料层，以形成一通道结构；在该通道结构上形成多个源极与漏极接触；在该通道结构上以一第一厚度形成一电荷捕获层，以捕获多个电荷载子，该电荷捕获层接触一部分的所述源极与漏极接触；在该电荷捕获层上形成一栅极介电层；以及在该栅极介电层上形成一栅极电极层。
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