[发明专利]沟槽栅超结MOSFET有效
| 申请号： | 201710768129.0 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107359201B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅超结MOSFET，器件的各沟槽栅形成于超结结构的在各P型柱和N型柱的交界面的顶部并跨越对应的交界面；由P阱组成各沟道区形成于N型柱的顶部；源区形成于沟道区的表面；沟道区和源区的顶部通过相同的接触孔同时连接到由正面金属层组成的源极；P型柱的顶部也通过接触孔连接到源极；寄生三极管由位于各N型柱顶部的源区、沟道区和漂移区组成；将沟槽栅设置为跨越P型柱和N型柱的交界面的结构使得沟槽栅的位于P型柱中的侧面部分在器件反向雪崩击穿时形成一个远离寄生三极管的雪崩电流路径，从而提高器件的EAS能力。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅超结 mosfet | ||
【主权项】：
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