[发明专利]基板处理方法有效
申请号: | 201710770930.9 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN107799389B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 日野出大辉;藤井定;武明励 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种基板处理方法,其包括:将基板水平保持的基板保持工序;在前述被保持为水平的基板的上表面相向配置相向部件的相向配置工序;由前述被保持为水平的基板、前述相向部件、以及在俯视下包围前述被保持为水平的基板及前述相向部件的挡板形成与外部的环境气体往来被限制的空间的空间形成工序;向前述空间供给非活性气体的非活性气体供给工序;通过一边维持前述空间一边使前述相向部件相对于前述被保持为水平的基板升降从而对前述基板的上表面与前述相向部件之间的间隔进行调整的间隔调整工序;在前述间隔调整工序之后向前述被保持为水平的基板的上表面供给处理液的处理液供给工序。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理方法,包含:基板保持工序,将基板保持为水平;相向配置工序,在被保持为水平的所述基板的上表面相向配置相向部件;空间形成工序,由被保持为水平的所述基板、所述相向部件、以及在俯视下包围被保持为水平的所述基板及所述相向部件的挡板形成与外部的环境气体往来被限制的空间;非活性气体供给工序,向所述空间供给非活性气体;间隔调整工序,通过一边维持所述空间一边使所述相向部件相对于被保持为水平的所述基板升降,来调整所述基板的上表面与所述相向部件之间的间隔;处理液供给工序,在所述间隔调整工序之后向被保持为水平的所述基板的上表面供给处理液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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