[发明专利]子口径抛光的等高线路径规划方法

摘要

本发明提供一种子口径抛光的等高线路径规划方法，通过该方法规划的等高线路径有利于抑制由于卷积效应引起的残留误差。子口径抛光的等高线路径规划方法，该方法包括以下步骤：1)获取初始面形误差分布数据；2)计算离散的材料去除量数列并生成各个去除量对应的等高线路径；3)计算各条等高线路径上的各个驻留点坐标及其驻留时间。本发明通过求得合适的材料去除量等高值数列并生成相应的等高线，可在加工表面材料去除量较大区域获得较密的路径间距，而在去除量较小区域获得较疏的路径间距，从而克服了目前采用等间距光栅扫描或螺旋线扫描路径方法加工时，难以实现中频误差和低频面形同时高效收敛的问题。

主权项

1.子口径抛光的等高线路径规划方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)获取初始面形误差分布数据；2)计算离散的材料去除量数列并生成各个去除量对应的等高线路径：根据步骤1)测得的初始面形误差分布数据找到元件中心区域的最高点或最低点，其坐标记为(x0,y0)；然后找到元件边角区域的最低点或最高点，其坐标记为(x1,y1)；获取最高点与最低点连线上的各点坐标及其对应的面形误差值，记为(xi,yi,zi)，此处zi值呈单调递减或递增；沿上述连线依次寻找各个等高值参考点，记为ki，相邻参考点之间的覆盖面积确定为s，则各个参考点的计算方法如下：选取连线上的第一点(x0,y0)作为第0参考点，依次计算后续各点与第0参考点之间覆盖的面积，直到其大于或等于s时，设定该点为第1参考点，依次求得各参考点，各参考点处的面形误差值即为等高值；依次求解各个等高值对应的等高线，各个等高线以离散点表示，如第i条等高线以其各点离散点表示：li:pi,1(xi,1,yi,1)，pi,2(xi,2,yi,2)，ggg，pi,m(xi,m,yi,m)；3)计算各条等高线路径上的各个驻留点坐标及其驻留时间：确定等高线路径上相邻驻留点的间距为d，依次计算各条等高线路径上的驻留点，对于任意等高线路径：li:pi,1(xi,1,yi,1)，pi,2(xi,2,yi,2)，ggg，pi,m(xi,m,yi,m)选取路径上的第一离散点(x1,y1)为第一驻留点，依次计算后续各离散点与第一驻留点的距离，直到两点距离大于或等于d时，设定该点为第二驻留点，依次求得各驻留点(xi,yi)，求得各条等高线线上的驻留点后，采用驻留时间求解算法计算所有驻留点的驻留时间(ti)。