[发明专利]刻蚀方法、工艺设备、薄膜晶体管器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种刻蚀方法、工艺设备、薄膜晶体管器件及其制造方法，属于半导体制造领域。所述刻蚀方法包括：在待刻蚀材料的表面上形成光刻胶层，光刻胶层具有的开口限定出待刻蚀材料的表面上的待刻蚀区域；采用能使光刻胶层固化的等离子体对光刻胶层进行固化处理；采用与待刻蚀材料对应的刻蚀液对待刻蚀区域内的待刻蚀材料进行刻蚀。本发明将常用于干法刻蚀的等离子体工艺创新地运用在了湿法刻蚀当中，并反过来利用了干法刻蚀中光刻胶容易在接触等离子体后发生变性而难以被剥离的缺点，在刻蚀液与待刻蚀材料反应之前利用等离子体增强光刻胶层与待刻蚀材料之间的接触，解决了由此而引发的钻刻问题，有助于提升产品良率和产品性能。

主权项

一种刻蚀方法，其特征在于，包括：在待刻蚀材料的表面上形成光刻胶层，所述光刻胶层具有的开口限定出所述待刻蚀材料的表面上的待刻蚀区域；采用能使所述光刻胶层固化的等离子体对所述光刻胶层进行固化处理；采用与所述待刻蚀材料对应的刻蚀液对所述待刻蚀区域内的待刻蚀材料进行刻蚀。