[发明专利]一种氧化钛钝化膜的制备方法及利用该方法制备太阳电池

摘要

本发明公开了一种氧化钛钝化膜的制备方法，步骤为在预处理后的硅片表面利用电子束沉积法沉积一定厚度的金属钛薄膜，后通入氧气气氛退火，再在氮气气氛中冷却即可。利用电子束沉积法沉积金属钛薄膜然后直接对金属钛薄膜进行氧化形成氧化钛薄膜，相比于ALD/CVD工艺，本发明所需的设备要求低，且操作方式和操作流程更加简单，便于调节金属钛薄膜的厚度、氧化工艺以适应不同的硅片钝化需求，同时该氧化钛钝化膜能够很好地与其他钝化介质层形成叠层从而达到更佳的钝化效果；本发明工艺还适用于热蒸镀法、磁控溅射法沉积金属钛薄膜；能够容易地实现沉积微量活性金属，从而实现对最终氧化钛薄膜的掺杂改性。

主权项

一种氧化钛钝化膜的制备方法，包括如下步骤：S1.在预处理后的硅表面沉积金属钛薄膜；S2.通入含氧气氛，退火。