[发明专利]电压前馈电流产生电路在审

专利信息
申请号: 201710771529.7 申请日: 2017-08-31
公开(公告)号: CN107450653A 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 甄少伟;曾鹏灏;周万礼;陈佳伟;杨明宇;罗萍;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124 代理人: 李凌峰
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有电压前馈电流产生电路耐压不够的问题,提供了一种电压前馈电流产生电路,其技术方案可概括为电压前馈电流产生电路,包括电流输出端、运算放大器、LDMOS耐压管一、LDMOS耐压管二、电压输入端、固定电平输入端、电流源、低压电源电压输入端、增强型PMOS管一、增强型PMOS管二。本发明的有益效果是,电路结构简单,且功耗较小,节约版图面积,合理的使用了耐压管解决了传统电路的耐压问题,适用于电压前馈电流产生电路。
搜索关键词: 电压 馈电 流产 电路
【主权项】:
电压前馈电流产生电路,包括电流输出端、运算放大器、LDMOS耐压管一、LDMOS耐压管二、电压输入端及固定电平输入端,其特征在于,还包括电流源、低压电源电压输入端、增强型PMOS管一、增强型PMOS管二,所述LDMOS耐压管一的漏极与电压输入端连接,其栅极与运算放大器的输出端连接,其源极与电流源的一端、运算放大器的负相输入端及LDMOS耐压管二的源极连接,电流源的另一端接地,LDMOS耐压管二的栅极与运算放大器的输出端连接,LDMOS耐压管二的漏极与增强型PMOS管一的漏极连接,且与增强型PMOS管一的栅极及增强型PMOS管二的栅极连接,增强型PMOS管一的源极及增强型PMOS管二的源极都与低压电源电压输入端连接,增强型PMOS管二的漏极作为电流输出端,运算放大器的正相输入端与固定电平输入端连接。
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