[发明专利]一种异常点抓取方法有效
| 申请号： | 201710771558.3 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107591341B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 蔚倩倩;李桂花;仝金雨;李辉;杜晓琼 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李婷婷;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种异常点抓取方法，应用于包括至少两条梳状线路和基底的三维硅穿孔技术集成电路，所述异常点抓取方法包括：获取向所述基底漏电的梳状线路，作为待抓取异常点梳状线路；增设连接端；将所述连接端与所述基底电性连接，且与所述待抓取异常点梳状线路组成第一回路；对所述第一回路进行测试，抓取异常点。本发明提供的异常点抓取方法，通过增设连接端，与漏电的梳状线路形成回路，再进行检测，抓取异常点，从而避免采用加压方式形成漏电，再组成回路进行检测，进而避免了破坏样品本身的信息，造成影响最初形貌，漏掉最初信息的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异常 抓取 方法 | ||
【主权项】：
一种异常点抓取方法，其特征在于，应用于包括至少两条梳状线路和基底的三维硅穿孔技术集成电路，所述异常点抓取方法包括：获取向所述基底漏电的梳状线路，作为待抓取异常点梳状线路；增设连接端；将所述连接端与所述基底电性连接，且与所述待抓取异常点梳状线路组成第一回路；对所述第一回路进行测试，抓取异常点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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