[发明专利]一种互连结构及其制作方法和半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种互连结构及其制作方法和半导体器件的制作方法，包括：提供一衬底结构，其中，衬底结构刻蚀有沟槽；沿沟槽的内壁依次沉积阻挡层和种子层的叠层；控制种子层背离阻挡层一侧表面吸附等离子体；对叠层形成的凹槽内进行连线材料填充；对衬底结构具有沟槽一侧表面进行平坦化处理，以在凹槽内形成互连线。在进行连线材料填充之前，对种子层背离阻挡层一侧表面吸附等离子体，通过优化种子层背离阻挡层一侧表面吸附等离子体的区域，进而通过等离子体抑制凹槽的宽度较小的区域连线材料的生长速度，而避免凹槽的宽度较小的区域被封死，使得凹槽内连线材料填充更加饱满，消除连线材料填充中的空洞缺陷。

主权项

1.一种互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底结构，其中，所述衬底结构刻蚀有沟槽；沿所述沟槽的内壁依次沉积阻挡层和种子层的叠层；控制所述种子层背离所述阻挡层一侧表面吸附等离子体，其中，控制所述种子层背离所述阻挡层一侧表面吸附等离子体为：控制所述种子层背离所述阻挡层一侧表面吸附等离子体，且所述叠层所形成的凹槽的开口区域所吸附的等离子体的密度，大于所述叠层所形成的凹槽的底部区域所吸附的等离子体的密度，且自所述沟槽的顶部至底部方向，所述种子层背离所述阻挡层一侧表面吸附等离子体的密度呈减小趋势；对所述叠层形成的凹槽内进行连线材料填充；对所述衬底结构具有所述沟槽一侧表面进行平坦化处理，以在所述凹槽内形成互连线。