[发明专利]KHg4Ga5Se12非线性光学晶体、其制备方法和非线性光学器件

摘要

本发明公开了KHg₄Ga₅Se₁₂非线性光学晶体及制法和用途。本发明的KHg₄Ga₅Se₁₂非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长；在该KHg₄Ga₅Se₁₂非线性光学晶体的生长中，晶体具有生长速度较快、成本低、容易获得较大尺寸晶体等优点；所得KHg₄Ga₅Se₁₂非线性光学晶体具有非线性光学效应极大、透光波段宽，硬度较大，机械性能好，易于加工等优点。本发明的KHg₄Ga₅Se₁₂非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。

主权项

1.一种KHg₄Ga₅Se₁₂非线性光学晶体，该KHg₄Ga₅Se₁₂非线性光学晶体不具备有对称中心，属三方晶系，空间群为R3，其晶胞参数为：α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝3。