[发明专利]非易失性存储器的读操作方法、装置及相关设备有效

专利信息
申请号: 201710772333.X 申请日: 2017-08-31
公开(公告)号: CN107507641B 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 刘冰燕;付祥;曹华敏;鲁岩;张黄鹏;王颀 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: G11C8/08 分类号: G11C8/08;G11C7/10
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 430074 湖北省武汉市东湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本申请实施例公开了一种非易失性存储器的读操作方法、装置及相关设备,该方法包括:对字线进行预充,在字线上施加读通过电压;依次执行至少两次数据感测操作;其中,每次数据感测操作,具体包括:在选中的字线上施加本次数据感测操作对应的读电压;经位线对选中的字线上存储单元管中存储的数据进行感测。在两次数据感测之间无需对字线放电、恢复及再次预充,连续在选中的字线上施加不同的读电压对其存储的数据进行感测,节约了每次读操作中的重复的充放电和恢复过程,提高了非易失性存储器读出数据的速度,降低了读操作过程中的动态功耗。
搜索关键词: 非易失性存储器 操作方法 装置 相关 设备
【主权项】:
1.一种非易失性存储器的读操作方法,其特征在于,所述非易失性存储器的每个存储单元管至少存储两比特的数据;所述非易失性存储器,包括:空白标志位和最高有效位标志位;所述空白标志位,用于指示每个页的存储单元管是否存储有数据;所述最高有效位志位,用于指示每个页的存储单元管是否存储有最高位数据;所述方法,包括:对字线进行预充,在字线上施加读通过电压;依次执行至少两次数据感测操作,第一次所述数据感测操作,用于对所述空白标志位的状态和所述最高有效位志位的状态进行识别;第n次所述数据感测操作时根据所述空白标志位的状态和所述最高有效位志位的状态确定本次数据感测操作对应的读电压;n为大于1的整数;每次所述数据感测操作,具体包括:在选中的字线上施加本次数据感测操作对应的读电压;经位线对所述选中的字线上存储单元管中存储的数据进行感测;其中,每次所述数据感测操作对应的读电压不同。
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