[发明专利]一种外延结构生长工艺的监控方法在审
| 申请号： | 201710772393.1 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107611048A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 颜元;程媛;李冠男;丁滔滔;王家友 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 党丽,王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延结构生长工艺的监控方法，在测试晶片上形成通孔，分别获得外延结构生长前和外延结构生长之后的通孔的深度，二次深度之差即为外延结构的实际厚度，通过测量两次通孔的深度，起到监控外延结构生长的目的。该方法中，采用离线的方式对3D NAND存储器中外延结构的生长进行监控，可以定期进行该监控，通过外延结构的厚度反应生长工艺是否异常，及时反馈结构的工艺情况，有利于提高生产的稳定性和产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 结构 生长 工艺 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种外延结构生长工艺的监控方法，其特征在于，包括：提供测试晶片，所述测试晶片包括衬底、所述衬底上介质材料的覆盖层以及所述覆盖层中暴露所述衬底的通孔；测量外延结构生长前通孔的第一深度；在所述通孔底部选择性外延生长外延结构；测量外延结构生长后通孔的第二深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
