[发明专利]三维计算机闪存设备的栅极氧化层的制作方法及栅极结构

摘要

本发明公开了一种三维计算机闪存设备的栅极氧化层的制作方法以及栅极结构，该制作方法包括：提供硅衬底；在硅衬底的表面氮化硅过渡层；在氮化硅过渡层的表面形成第一二氧化硅层；形成贯穿第一二氧化硅层以及氮化硅过渡层的窗口，窗口露出硅衬底；在窗口内形成单晶硅立柱，单晶硅立柱的一端与硅衬底接触，另一端超出第一二氧化硅层；在单晶硅立柱背离第一二氧化硅层的一端形成第二二氧化硅层；第二二氧化硅层与第一二氧化硅层之间具有预设高度间隙；通过热处理，形成栅极氧化层，栅极包括位于单晶硅立柱侧面的第三二氧化硅层以及位于硅衬底表面的第四二氧化硅层。本发明技术方案可以制备厚度均匀的栅极氧化层，提高了耐压性，提高了3D NAND的可靠性。

主权项

1.一种三维计算机闪存设备的栅极氧化层的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供硅衬底；在所述硅衬底的表面形成氮化硅过渡层；在所述氮化硅过渡层的表面形成第一二氧化硅层；形成贯穿所述第一二氧化硅层以及所述氮化硅过渡层的窗口，所述窗口露出所述硅衬底；在所述窗口内形成单晶硅立柱，所述单晶硅立柱的一端与所述硅衬底接触，另一端超出所述第一二氧化硅层；在所述单晶硅立柱背离所述第一二氧化硅层的一端形成第二二氧化硅层；所述第二二氧化硅层与所述第一二氧化硅层之间具有预设高度间隙；通过热处理，形成栅极氧化层，所述栅极氧化层包括位于所述单晶硅立柱侧面的第三二氧化硅层以及位于所述硅衬底表面的第四二氧化硅层；所述第三二氧化硅层与所述第四二氧化硅层的厚度差小于预设阈值。