[发明专利]铜结构的热处理方法及三维存储器的形成方法有效
申请号: | 201710772556.6 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN107564852B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 马亮;潘杰;桂辉辉;郁赛华;宋长庚;吕术亮;李远;万先进 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种铜结构热处理方法及三维存储器形成方法,该热处理方法包括:提供加热结构,加热结构具有一密封腔,密封腔的腔壁上设置有加热元件,且加热结构的密封腔中具有支架;将至少一个晶圆放置在支架上,在预设气体环境中,利用加热结构对晶圆进行加热,直至加热结构密封腔内的温度达到预设温度,停止对晶圆进行加热,晶圆表面具有铜结构;将晶圆在密封腔中保温预设时间;对晶圆进行冷却。相较于现有热处理方法,该热处理方法对铜结构电阻率影响不大,但明显降低了缺陷颗粒数和缺陷密度,提高了铜结构的质量,从而提高了后续化学机械研磨的稳定性;还降低了应力值,从而减弱了铜结构在后续的化学机械研磨时变形或开裂的倾向。 | ||
搜索关键词: | 结构 热处理 方法 三维 存储器 形成 | ||
【主权项】:
1.一种铜结构的热处理方法,其特征在于,该方法包括:提供加热结构,所述加热结构具有一密封腔,所述密封腔的腔壁上设置有加热元件,且所述加热结构的密封腔中具有支架;将至少一个晶圆放置在所述支架上,在预设气体环境中,利用所述加热结构对所述加热结构中的密封腔进行加热,通过所述密封腔中的气体,将热量传输给所述晶圆,对所述晶圆进行加热,直至所述加热结构密封腔内的温度达到预设温度,停止对所述晶圆进行加热,所述晶圆表面具有铜结构;将所述晶圆在所述密封腔中保温预设时间;对所述晶圆进行冷却;其中,所述预设气体环境为惰性气体环境或还原气体环境。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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