[发明专利]结晶性氧化物半导体膜、半导体装置及半导体系统有效
| 申请号： | 201710772734.5 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107799584B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 德田梨绘;织田真也;人罗俊实 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/205;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。本发明提供一种结晶性氧化物半导体装置，以及结晶性氧化物半导膜的结晶性氧化物半导体系统。作为本发明的目的之一，提出一种结晶性氧化物半导体膜。结晶性氧化物半导体膜含有：结晶性氧化物半导体，具有刚玉结构，含有结晶性氧化物作为主成分；以及掺杂剂，结晶性氧化物半导体的电子迁移率为30cm |
||
| 搜索关键词： | 结晶 氧化物 半导体 装置 系统 | ||
【主权项】：
一种结晶性氧化物半导体膜，其中，含有：结晶性氧化物半导体，具有刚玉结构，含有结晶性氧化物作为主成分；以及掺杂剂，所述结晶性氧化物半导体的电子迁移率为30cm2/Vs以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社FLOSFIA，未经株式会社FLOSFIA许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710772734.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：沟槽型超级结及其制造方法
- 下一篇：超高电压元件
- 同类专利
- 专利分类
