[发明专利]实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器在审

专利信息
申请号: 201710773696.5 申请日: 2017-08-31
公开(公告)号: CN107402594A 公开(公告)日: 2017-11-28
发明(设计)人: 甄少伟;周万礼;陈佳伟;王佳佳;毛征明;罗萍;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124 代理人: 李凌峰
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及集成电路技术。本发明解决了现有低压差线性稳压器功耗较大的问题,提供了一种实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器,其技术方案可概括为实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器,包括外部电源输入端、电压输出端、PMOS管一、PMOS管二、NJFET耐压管一、NJFET耐压管二、NMOS管一、NMOS管二、耗尽型NMOS管、二极管、电阻一及电阻二。本发明的有益效果是,其避免使用误差放大器及带隙基准源,电路结构简单,功耗较小,能够实现高压电源的变换,适用于低压差线性稳压器。
搜索关键词: 实现 电源 电压 转变 功耗 低压 线性 稳压器
【主权项】:
实现高电源电压转变的低功耗低压差线性稳压器,包括外部电源输入端及电压输出端,其特征在于,还包括PMOS管一、PMOS管二、NJFET耐压管一、NJFET耐压管二、NMOS管一、NMOS管二、耗尽型NMOS管、二极管、电阻一及电阻二,所述PMOS管一的源极、PMOS管二的源极及NMOS管二的漏极都与外部电源输入端连接,PMOS管一的漏极与自身栅极连接,且与PMOS管二的栅极及NJFET耐压管一的漏极连接,PMOS管二的漏极与NJFET耐压管二的漏极连接,且与NMOS管二的栅极及二极管的负极连接,NJFET耐压管一的栅极与NJFET耐压管二的栅极连接,且接地,NJFET耐压管一的源极与耗尽型NMOS管的漏极连接,NJFET耐压管二的源极与NMOS管一的漏极连接,耗尽型NMOS管的源极及栅极分别接地,NMOS管一的源极接地,其栅极与电阻一的一端连接,且与电阻二的一端连接,电阻二的另一端接地,电阻一的另一端与NMOS管二的源极连接,且与二极管的正极及电压输出端连接。
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