[发明专利]一种3D NAND存储器的金属栅极制备方法有效
| 申请号： | 201710773928.7 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107507766B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 张静平;蒋阳波;宋冬门;吴良辉;游晓英 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种3D NAND存储器的金属栅极制备方法，其包括：提供衬底，所述衬底上形成有氧化硅/氮化硅层交替层叠结构以及贯穿所述层叠结构的栅线缝隙；采用氮化硅对氧化硅的选择比大于1的刻蚀溶液刻蚀所述层叠结构中的氮化硅层，在氮化硅层303位置形成镂空区域；去除氮化硅层刻蚀过程中产生的副产物二氧化硅；向镂空区域填充金属介质，形成金属栅极。如此，该方法填充金属介质之前，将刻蚀氮化硅层过程中产生的副产物二氧化硅去除掉，如此，填充金属介质位置的开口没有被副产物所阻碍，填充金属介质的区域开口没有减小，因而也就减少了金属栅极内部空隙形成的可能性，有利于提高3D NAND存储器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dnand 存储器 金属 栅极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND存储器的金属栅极制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有氧化硅/氮化硅层交替层叠结构；采用氮化硅对氧化硅的选择比大于1的刻蚀溶液刻蚀所述层叠结构中的氮化硅层，在氮化硅层位置形成镂空区域；采用氢氟酸溶液实施湿法刻蚀，去除氮化硅层刻蚀过程中产生的副产物二氧化硅；向镂空区域填充金属介质，形成金属栅极；其中，所述氮化硅对氧化硅的选择比大于1的刻蚀溶液的氮化硅对氧化硅的选择比大于300。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
