[发明专利]一种3DNAND存储器件的金属栅制备方法在审
| 申请号： | 201710773959.2 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107527794A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 唐浩;左明光;李远;彭浩;许爱春;万先进 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵秀芹,王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种3D NAND存储器的金属栅制备方法，该方法中在采用液相化学刻蚀方法去除掉层叠结构中的氮化硅层后，在向横向沟槽阵列中的各个横向沟槽内填充金属介质前，去除液相化学刻蚀氮化硅过程中产生的聚集在横向沟槽阵列开口处的刻蚀副产物。因该聚集在横向沟槽阵列开口处的刻蚀副产物被去除，增大了沟槽开口处的尺寸，为后续金属栅填充过程中的反应气体提供了通畅的扩散通道，避免在金属栅填充过程中横向沟槽提前封口，使得反应气体能够不断通入结构深处进行反应沉积，获得良好的金属栅横向填充性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dnand 存储 器件 金属 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种3D NAND存储器的金属栅制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有氧化硅/氮化硅层交替排列的层叠结构；采用液相化学刻蚀方法去除所述层叠结构中的氮化硅层，形成横向沟槽阵列；去除液相化学刻蚀氮化硅过程中产生的聚集在所述横向沟槽阵列开口处的刻蚀副产物；向所述横向沟槽阵列的横向沟槽内填充金属介质，形成金属栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710773959.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
