[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201710774110.7 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107611196A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;杨少飞 | 申请（专利权）人： | 成都中建材光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙)51237 | 代理人： | 李华,温黎娟 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池依次设置有衬底层、阻挡层、透明导电层、n型半导体层、p型半导体层、背接触层、背电极层，所述n型半导体层包括硫化镉层和掺镁硫化镉层。该电池可以采用较薄的n层，减少不产生光电流的n层对光的吸收，增加碲化镉薄膜太阳电池的短路电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲化镉 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池依次设置有衬底层、阻挡层、透明导电层、n型半导体层、p型半导体层、背接触层、背电极层，所述n型半导体层包括硫化镉层和掺镁硫化镉层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
