[发明专利]一种改良碲化镉太阳能薄膜电池的制备方法在审
申请号: | 201710774299.X | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN107611219A | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;邬小凤 | 申请(专利权)人: | 成都中建材光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0445 |
代理公司: | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙)51237 | 代理人: | 李华,温黎娟 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开一种改良碲化镉太阳能薄膜电池的制备方法,包括以下步骤1)制备太阳能电极片;2)将步骤1)中制备得到的太阳能电极片上表面上覆盖一层背接触层过渡层,在所述背接触层过渡层上粘结背板,得到预制件,所述背板为2.5D钢化玻璃;3)将所述预制件在真空条件下进行高压层压,去掉真空袋,即改良碲化镉太阳能薄膜电池。本发明提供一种改良碲化镉太阳能薄膜电池的制备方法,采用该方法制备得到的电池碲化镉薄膜电池具有自封边效果好,棱角圆润,整体视觉效果较好,应用范围广,降低使用成本等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 改良 碲化镉 太阳能 薄膜 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种改良碲化镉太阳能薄膜电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)制备太阳能电极片;2)将步骤1)中制备得到的太阳能电极片上表面上覆盖一层背接触层,在所述背接触层上粘结背板,得到预制件,所述背板为2.5D钢化玻璃;3)将所述预制件在真空条件下进行高压层压,去掉真空袋,即改良碲化镉太阳能薄膜电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的