[发明专利]一种研磨方法

摘要

本申请实施例公开了一种研磨方法，该方法包括，提供待研磨的半导体结构，该半导体结构至少具有研磨层和研磨终点检测层，采用研磨液对研磨层进行主研磨，获取用于表征研磨层表面物理性能的性能参数，根据该性能参数判断是否到达主研磨的研磨终点，若到达主研磨的研磨终点，则对研磨液进行稀释，以使稀释后的研磨液的研磨层对研磨终点检测层的选择比达到预设选择比，以稀释后的研磨液对研磨层进行过研磨。该研磨方法通过在过研磨阶段降低研磨液浓度，使研磨液对研磨层和研磨终点检测层的选择比达到预设选择比，保证了半导体结构的形貌的同时，由于单位研磨液中固体颗粒含量降低，固体颗粒与研磨层表面接触减少，细微刮伤缺陷也相应减少。

主权项

一种研磨方法，其特征在于，所述方法包括：提供待研磨的半导体结构，所述待研磨的半导体结构至少包括研磨层和位于研磨层之下的研磨终点检测层；采用研磨液对研磨层进行主研磨；获取主研磨过程中用于表征研磨层表面物理性能的性能参数；根据所述性能参数判断是否到达主研磨的研磨终点；若到达主研磨的研磨终点，对研磨液进行稀释，以使稀释后的研磨液的研磨层对研磨终点检测层的选择比达到预设选择比；以稀释后的研磨液对研磨层进行过研磨。