[发明专利]一种退火方法在审
| 申请号： | 201710775076.5 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107564801A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 余德钦;周文斌;吴娴 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/268;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种退火方法，该方法包括提供待退火衬底，衬底上设置有器件结构，在待退火衬底表面形成热吸收层，对形成有热吸收层的待退火衬底进行退火。由于热吸收层一般是同一种材料形成的，而且厚度相对均匀，表面起伏较小，因此，在退火过程中，热吸收层可以均匀的吸收退火时的热量，热吸收层和具有器件结构的衬底相互接触，因此可以将其吸收的热量通过热传导的方式传递给热吸收层所覆盖的设置有器件结构的衬底，使得衬底上的热量分布更均匀，从而改善器件的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种退火方法，其特征在于，所述方法包括：提供待退火衬底，所述待退火衬底设置有器件结构；在所述待退火衬底上形成热吸收层；对形成有热吸收层的待退火衬底进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
