[发明专利]湿法刻蚀化学品反应槽有效
| 申请号： | 201710775129.3 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107527844B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 吴良辉;吴关平;万先进;蒋阳波;张静平;汪亚军 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种湿法刻蚀化学品反应槽，其包括：用于盛放化学品反应液以及用于容纳待刻蚀晶片的第一槽、用于盛放化学品反应液且能够从第一槽顶部向第一槽注入化学品反应液的第二槽，以及用于将化学品反应液从第一槽底部抽至第二槽的抽泵。在该反应槽内，化学品反应液在第一槽内的流向是从上向下。因此，在第一槽内，化学品反应液按照由上到下的流向对待刻蚀晶片进行冲洗，如此，待刻蚀晶片刻蚀过程中产生的副产物很容易随反应液从第一槽底部流出，其不易粘附在待刻蚀晶片表面，因而该湿法刻蚀化学品反应槽能够减少刻蚀副产物给待刻蚀晶片表面带来的接触点线缺陷，有利于提高晶片良率。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 化学品 反应 | ||
【主权项】：
一种湿法刻蚀化学品反应槽，其特征在于，包括：用于盛放化学品反应液以及用于容纳待刻蚀晶片的第一槽、用于盛放化学品反应液且能够从第一槽顶部向第一槽注入化学品反应液的第二槽，以及用于将化学品反应液从第一槽底部抽至第二槽的抽泵。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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