[发明专利]一种沟道孔底部刻蚀方法有效
| 申请号： | 201710775142.9 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107507772B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 王猛;陈保友;黄海辉;肖为引;苏恒;刘隆冬;金永群;朱喜峰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种沟道孔底部刻蚀方法，该方法在对沟道孔底部进行刻蚀之前，在衬底表面上形成刻蚀保护层。如此，当对沟道孔底部进行刻蚀时，该刻蚀保护层能够保护其下方的硬掩膜层，减少沟道孔底部刻蚀过程对硬掩膜层的损耗，如此可以增加后续制程重复循环使用该硬掩膜层形成工艺窗口的次数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟道 底部 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种沟道孔底部刻蚀方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有氮化硅层和氧化硅层交替层叠的层叠结构，所述层叠结构的上方形成有硬掩膜层，所述层叠结构内形成有沟道孔，所述沟道孔的底部形成有外延层，在所述外延层之上和所述沟道孔的侧壁上均依次形成有存储单元的电荷捕获层、第一沟道层以及保护性氧化膜；在衬底表面上形成刻蚀保护层；采用干法刻蚀工艺刻蚀沟道孔底部的电荷捕获层、第一沟道层以及保护性氧化膜，直至露出外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
