[发明专利]一种对电源不敏感的低温漂电流源电路在审
申请号: | 201710775470.9 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN107390763A | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 苗林 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 赵晓荣,王宝筠 |
地址: | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开一种对电源不敏感的低温漂电流源电路,使得第二MOS管在不需要启动电路的条件下,始终处于正常工作状态;并且流经第二电阻的电流受电源电压影响较小,相应地,减小了电源电压对电流源电路输出的电流的影响,降低了该电流源电路对电源的敏感度;此外,该电流源工作过程中,受温度影响较大的第三MOS管和第四MOS管的阈值电压相互抵消,从而使得流经第三电阻的电流不受温度的影响,进一步减小了温度变化对该电流源电路输出的电流的影响,降低了该电流源电路的温漂系数。 | ||
搜索关键词: | 一种 电源 敏感 低温 电流 电路 | ||
【主权项】:
一种对电源不敏感的低温漂电流源电路,其特征在于,包括:第一MOS管,第二MOS管,第三MOS管,第四MOS管,第一电阻,第二电阻和第三电阻;所述第一MOS管为NMOS管,所述第一MOS管的栅极通过所述第二电阻接地,所述第一MOS管的源极接地,所述第一MOS管的漏极通过所述第一电阻接电源;所述第二MOS管为NMOS管,所述第二MOS管的栅极通过所述第一电阻接所述电源,所述第二MOS管的源极通过所述第二电阻接地,所述第二MOS管的漏极与所述第三MOS管的漏极相连;所述第三MOS管为PMOS管,所述第三MOS管的栅极与所述第四MOS管的栅极相连,所述第三MOS管的源极接所述电源,所述第三MOS管的漏极与所述第三MOS管的栅极相连;所述第四MOS管为PMOS管,所述第四MOS管源极通过所述第三电阻接所述电源,所述第四MOS管的漏极输出电流源电路的电流。
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