[发明专利]一种3D NAND存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种3D NAND存储器及其制造方法，在形成沟道孔之后，先形成第一外延结构，而后，在沟道孔的内壁上形成氧化硅的隔层，而后在第一外延结构之上形成第二外延结构，由于第一外延结构的上表面低于堆叠层中第一层氮化硅层的上表面，使得沟道底部大部分的外延结构与底部氮化硅层之间都存在有氧化硅的隔层，这样，在后续去除堆叠层的氮化硅层时，上部的外延结构被氧化硅的隔层保护，避免外延结构被过多的侧掏，有利于后续替换工艺的进行，进而提高器件整体的性能。

主权项

1.一种3D NAND存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有氮化硅层和氧化硅层交替层叠的堆叠层；刻蚀所述堆叠层，以形成沟道孔，所述沟道孔暴露所述衬底；采用选择性外延生长在沟道孔的底部形成第一外延结构，所述第一外延结构的上表面低于堆叠层中第一层氮化硅层的上表面；在沟道孔的侧壁上形成氧化硅的隔层，而后，采用选择性外延生长在第一外延结构上形成第二外延结构；去除沟道孔中暴露的氧化硅的隔层，并在第二外延结构上形成存储区。