[发明专利]基于纳米压印制备具有表面等离子体的垂直结构的发光二极管的方法有效
| 申请号： | 201710776199.0 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107611231B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 云峰;郭茂峰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于纳米压印制备具有表面等离子体的垂直结构的发光二极管的方法，包括：1)在蓝宝石衬底表面上生长外延层，并于外延层上制备第一层粘合层，同时在转移衬底表面上制备第二层粘合层；2)将第一层粘合层和第二层粘合层连接在一起，然后将蓝宝石衬底和外延层分离开；3)利用纳米压印技术，在外延层的表面上制备微纳尺寸图形，将微纳尺寸图形转移到外延层上形成微纳孔洞，并在转移到外延层之上的微纳孔洞内制备形成表面等离子体共振耦合金属；4)利用干法刻蚀工艺，将剥离后的外延层刻蚀到N型重掺杂层，再在该N型重掺杂层上制备N型欧姆接触电极，最后在芯片表面制备钝化保护层，完成表面等离子体垂直结构发光二极管的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 压印 制备 表面 等离子体 垂直 结构 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
1.基于纳米压印制备具有表面等离子体的垂直结构的发光二极管的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在蓝宝石衬底(100)表面上生长外延层(101)，利用纳米压印技术，在外延层(101)的表面上制备微纳尺寸图形(103)，利用干法刻蚀技术将微纳尺寸图形(103)转移到外延层上形成微纳孔洞(104)，并在转移到外延层之上的微纳孔洞(104)内制备形成表面等离子体共振耦合金属(105)；并于完成上述工艺后的外延层(101)上制备第一层粘合层(102)，同时在转移衬底(200)表面上制备第二层粘合层(202)；2)利用晶圆粘合技术将第一层粘合层(102)和第二层粘合层(202)连接在一起，实现蓝宝石衬底(100)上的外延层(101)和转移衬底(200)贴合，利用转移衬底剥离技术，将蓝宝石衬底(100)和外延层(101)分离开；3)利用干法刻蚀工艺，将剥离后的外延层(101)刻蚀到N型重掺杂层，再在该N型重掺杂层上制备N型欧姆接触电极，最后在芯片表面制备钝化保护层，完成表面等离子体垂直结构发光二极管的制备。
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