[发明专利]一种基于硅纳米膜的柔性金属型双底栅晶体管及制造方法

摘要

一种基于硅纳米膜的柔性金属型双底栅晶体管及制造方法，晶体管包括在柔性介电层的上表面设置由硅纳米薄膜构成的第一至第三N型掺杂区和第一至第二未掺杂区，第一N型掺杂区电连接设置在柔性介电层上的第一源极，第三N型掺杂区电连接柔性介电层上的第二源极，第二N型掺杂区电连接设置在柔性介电层上的漏极，柔性介电层上的栅极通过互连线分别贯穿柔性介电层连接柔性导电层。方法是利用磁控溅射低温技术在镀有ITO的柔性塑料衬底上形成均匀的氧化锌介质层，再利用光刻、湿法刻蚀和薄膜转移技术将硅纳米薄膜转移到氧化锌介质层上，再通过光刻对准工艺在硅纳米薄膜上层的特定位置淀积金属形成电极和互连线。本发明制作简便，透光性好，驱动性能优良。

主权项

一种基于硅纳米膜的柔性金属型双底栅晶体管，包括由下至上依次设置的柔性衬底(6)、柔性导电层(7)和柔性介电层(8)，其特征在于，所述的柔性介电层(8)上下贯通的形成有直通到柔性导电层(7)上表面的第一通孔(12)和第二通孔(13)，所述柔性介电层(8)的上表面，依次并排设置有由硅纳米薄膜构成的第一N型掺杂区(1)、第一未掺杂区(2)、第二N型掺杂区(3)、第二未掺杂区(4)和第三N型掺杂区(5)，其中，所述第一N型掺杂区(1)通过互连线(14)连接设置在柔性介电层(8)上表面的第一源极(9)，所述第三N型掺杂区(5)通过互连线(14)连接设置在柔性介电层(8)上表面的第二源极(10)，所述第二N型掺杂区(3)通过互连线(14)连接设置在柔性介电层(8)上表面的漏极(15)，所述柔性介电层(8)的上表面还设置有栅极(11)，所述栅极(11)通过互连线(14)分别贯穿所述的第一通孔(12)和第二通孔(13)连接柔性导电层(7)。