[发明专利]一种基于氧化石墨烯量子点的大存储窗口电荷俘获存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于氧化石墨烯量子点的大存储窗口电荷俘获存储器及其制备方法，该存储器的结构是在Si衬底上依次形成氧化物介质层和Pd电极膜层；所述氧化物介质层包括依次所形成的二氧化硅隧穿层、ZnO/GOQDs/ZnO电荷俘获层及三氧化二铝阻挡层。本发明所提供的基于氧化石墨烯量子点的电荷俘获存储器在较低的操作电压（±7V）下，呈现出较大的存储窗口（2.7V）。在操作电压由6V变化至7V时，存储窗口出现明显增大。在104s的保持测试时间中，高态电容和低态电容的损失量分别为0.5pF(1.4%)和0.3pF(6.9%),展现出较为稳定的数据保持特性。以上优异的存储性能与当前存储器领域的低操作电压，低功耗，高存储密度，高稳定性的发展要求相符合。