[发明专利]一种基于氧化石墨烯量子点的三态电荷俘获存储器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种基于氧化石墨烯量子点的三态电荷俘获存储器及其制备方法，所述存储器是在Si衬底上依次形成氧化物介质层和Pd电极膜层；所述氧化物介质层依次由形成于Si衬底上的二氧化硅隧穿氧化层、ZnO/GOQDs/ZnO电荷俘获层及二氧化硅阻挡氧化层构成，所述ZnO/GOQDs/ZnO电荷俘获层中的GOQDs为氧化石墨烯量子点层。本发明的存储器，呈现出稳定的三电容值状态。在±4V的操作电压下，呈现出1.86V的存储窗口。在10

主权项

1.一种基于氧化石墨烯量子点的三态电荷俘获存储器，其特征是，其是在Si衬底上依次形成氧化物介质层和Pd电极膜层；所述氧化物介质层由依次形成于Si衬底上的二氧化硅隧穿氧化层、ZnO/GOQDs/ZnO电荷俘获层及二氧化硅阻挡氧化层构成，所述ZnO/GOQDs/ZnO电荷俘获层中的GOQDs层为单层氧化石墨烯量子点层；/n所述单层氧化石墨烯量子点层是在形成的ZnO膜层上采用滴涂－旋转的方法将氧化石墨烯量子点水悬浮液添加到ZnO膜层上并晾干得到，所述氧化石墨烯量子点水悬浮液是按如下方法制备得到：在石英玻璃管中，按体积比40∶1将浓度0.5mg/mL的石墨烯氧化物水性悬浮液和浓度30wt%的过氧化氢水溶液混合，然后在紫外灯照射条件下匀速搅拌40分钟得反应物，然后将所述反应物使用3500 Da的透析袋对产品透析72h以上即得氧化石墨烯量子点水悬浮液；/n其中，所述二氧化硅隧穿氧化层厚度为2~5nm，所述二氧化硅阻挡氧化层的厚度为5~15nm，所述ZnO/GOQDs/ZnO电荷俘获层中ZnO层分别为第一氧化锌膜层和第二氧化锌膜层，所述第一氧化锌膜层与所述第二氧化锌膜层的厚度相等且为5~15nm。/n