[发明专利]具有物理不可克隆功能的器件及其制造方法、芯片

摘要

本申请公开了一种具有物理不可克隆功能的器件及其制造方法、芯片，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，其包括：衬底，包括加密器件区和基准器件区；在加密器件区上的一个或多个用于加密器件的第一栅极结构及其侧壁上的第一间隔物层；在加密器件区和第一间隔物层上的第一互连层；在基准器件区上的一个或多个用于基准器件的第二栅极结构及其侧壁上的第二间隔物层；及在基准器件区和第二间隔物层上的第二互连层；执行第一离子注入，以在第一互连层中引入第一杂质；执行第二离子注入，以在第一和第二互连层中引入第二杂质；其中，具有物理不可克隆功能的器件的密码根据每个加密器件的漏电流和与该加密器件对应的基准器件的漏电流来确定。

主权项

1.一种具有物理不可克隆功能的器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底，包括加密器件区和基准器件区；在所述加密器件区上的一个或多个用于加密器件的第一栅极结构；在所述第一栅极结构的侧壁上的第一间隔物层；在所述加密器件区和所述第一间隔物层上的第一互连层；在所述基准器件区上的一个或多个用于基准器件的第二栅极结构；在所述第二栅极结构的侧壁上的第二间隔物层；以及在所述基准器件区和所述第二间隔物层上的第二互连层；执行第一离子注入，所述第一离子注入在所述第一互连层中引入第一杂质；执行第二离子注入，所述第二离子注入在所述第一互连层和所述第二互连层中引入第二杂质；其中，所述第一互连层中的第二杂质扩散到所述第一栅极结构两侧的加密器件区中，以形成用于加密器件的第一源区和第一漏区；所述第二互连层中的第二杂质扩散到所述第二栅极结构两侧的基准器件区中，以形成用于基准器件的第二源区和第二漏区；其中，所述具有物理不可克隆功能的器件的密码根据每个加密器件的漏电流和与该加密器件对应的基准器件的漏电流来确定。