[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710778299.7 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN109427585B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体结构，其包括：半导体衬底、在半导体衬底上的半导体鳍片和在半导体鳍片上的栅极结构；对半导体鳍片执行第一刻蚀以在栅极结构两侧分别形成第一凹陷和第二凹陷；执行离子注入以在第一凹陷中注入锗离子和/或碳离子；在执行该离子注入之后，对第一凹陷和第二凹陷执行第二刻蚀；其中，该第二刻蚀使得该第一凹陷的体积大于该第二凹陷的体积；以及在执行该第二刻蚀之后，形成源极和漏极；其中，该源极形成在该第一凹陷和该第二凹陷这两者中的一个凹陷中，该漏极形成这两者中的另一个凹陷中。本发明可以尽量减小串联电阻或者尽量抑制短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：半导体衬底、在所述半导体衬底上的半导体鳍片以及在所述半导体鳍片上的栅极结构；对所述半导体鳍片执行第一刻蚀以在所述栅极结构两侧分别形成第一凹陷和第二凹陷；执行离子注入以在所述第一凹陷中注入锗离子和/或碳离子；在执行所述离子注入之后，对所述第一凹陷和所述第二凹陷执行第二刻蚀；其中，所述第二刻蚀使得所述第一凹陷的体积大于所述第二凹陷的体积；以及在执行所述第二刻蚀之后，形成源极和漏极；其中，所述源极形成在所述第一凹陷和所述第二凹陷这两者中的一个凹陷中，所述漏极形成这两者中的另一个凹陷中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
