[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201710778312.9 | 申请日： | 2017-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN109427668A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王彦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构；在该衬底结构上沉积伪栅极材料层；对该伪栅极材料层执行平坦化处理；在该平坦化处理之后，根据伪栅极材料层的表面粗糙情况利用含氟的气体对该伪栅极材料层执行第一刻蚀处理；在该第一刻蚀处理之后，在伪栅极材料层上形成含氟聚合物层；以及对形成了该含氟聚合物层的衬底结构执行第二刻蚀处理以去除该含氟聚合物层，其中，该第二刻蚀处理还对该伪栅极材料层的表面进行刻蚀。本发明的该方法改善了伪栅极材料层的表面平整程度和厚度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 材料层 伪栅极 刻蚀 含氟聚合物层 衬底结构 半导体装置 平坦化处理 半导体技术领域 厚度均匀性 表面平整 沉积 含氟 去除 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构；在所述衬底结构上沉积伪栅极材料层；对所述伪栅极材料层执行平坦化处理；在所述平坦化处理之后，根据所述伪栅极材料层的表面粗糙情况利用含氟的气体对所述伪栅极材料层执行第一刻蚀处理；在所述第一刻蚀处理之后，在所述伪栅极材料层上形成含氟聚合物层；以及对形成了所述含氟聚合物层的衬底结构执行第二刻蚀处理以去除所述含氟聚合物层，其中，所述第二刻蚀处理还对所述伪栅极材料层的表面进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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