[发明专利]具有硫酸根插层的层状复合金属氢氧化物的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710781213.6 申请日: 2017-09-01
公开(公告)号: CN107473187A 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 樊发英;邓小川;唐志雷;卿彬菊;温现明;朱朝梁;史一飞;邵斐;雷风鹏 申请(专利权)人: 中国科学院青海盐湖研究所
主分类号: C01B13/14 分类号: C01B13/14;C01F7/00;C01G9/00;C01G37/00;C01G53/00
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 代理人: 孙伟峰
地址: 810008*** 国省代码: 青海;63
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摘要: 发明公开了一种具有硫酸根插层的层状复合金属氢氧化物的制备方法,该层状复合金属氢氧化物包括低价主体层板阳离子、高价主体层板阳离子以及层间阴离子,其中,低价主体层板阳离子和高价主体层板阳离子包括至少一种金属阳离子,层间阴离子为硫酸根;该制备方法包括步骤S1、将低价阳离子的氢氧化物与高价阳离子的氢氧化物混合并溶于水中,获得第一混合物;S2、向第一混合物中添加硫酸和/或水溶性硫酸盐并混合均匀,获得第二混合物;S3、将第二混合物在50℃~300℃下反应4h~100h,反应产物经固液分离,所得固相经干燥即可。根据本发明的制备方法相比现有方法,无需提供N2气氛,降低了制备成本及设备要求,且不存在高压危险,是一种清洁的制备方法。
搜索关键词: 具有 硫酸 根插 层状 复合 金属 氢氧化物 制备 方法
【主权项】:
一种具有硫酸根插层的层状复合金属氢氧化物的制备方法,所述层状复合金属氢氧化物包括低价主体层板阳离子、高价主体层板阳离子以及层间阴离子,其中,所述低价主体层板阳离子和所述高价主体层板阳离子包括至少一种金属阳离子,所述层间阴离子为硫酸根;其特征在于,所述制备方法包括步骤:S1、将低价阳离子的氢氧化物与高价阳离子的氢氧化物混合并溶于水中,获得第一混合物;S2、向所述第一混合物中添加硫酸和/或水溶性硫酸盐并混合均匀,获得第二混合物;S3、将所述第二混合物在50℃~300℃下反应4h~100h,反应产物经固液分离,所得固相经干燥,获得所述具有硫酸根插层的层状复合金属氢氧化物。
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