[发明专利]一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法

摘要

本发明提供一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件，包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型基区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第一导电类型衬底和漏极。本发明所述第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻，本发明还公开了其制备方法。

主权项

1.一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件，包括：第一导电类型多晶硅栅极(5)；包裹第一导电类型多晶硅栅极(5)的槽栅介质(7)；设置在槽栅介质(7)两侧的对称结构的源极(1)；设置在源极(1)底部的第一导电类型源接触区(2)、第二导电类型基区(3)和重掺杂第二导电类型基区(4)；自上而下依次设置在槽栅介质(7)下方的第二导电类型栅氧保护区(8)、第一导电类型漂移区(10)、第一导电类型衬底(11)以及漏极(12)；所述第一导电类型多晶硅栅极(5)下方设置有第二导电类型多晶硅栅极(6)；所述槽栅介质(7)包裹第二导电类型多晶硅栅极(6)；所述第二导电类型栅氧保护区(8)与第一导电类型漂移区(10)之间设置有第一导电类型包裹区(9)；其特征在于：所述第一导电类型源接触区(2)与源极(1)的下部、第二导电类型基区(3)的上部以及重掺杂第二导电类型基区(4)的侧面接触，所述重掺杂第二导电类型基区(4)与源极(1)的下部、第一导电类型源接触区(2)的侧面以及第二导电类型基区(3)的侧面接触；重掺杂第二导电类型基区(4)的厚度等于第一导电类型源接触区(2)和第二导电类型基区(3)的厚度之和。