[发明专利]一种提高GaAs光电阴极光谱响应和稳定性的单色光照射激活方法在审
| 申请号： | 201710782382.1 | 申请日： | 2017-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN109427517A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 张益军;冯琤;张翔;张景智;钱芸生;张俊举;戴庆鑫 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01J9/12 | 分类号： | H01J9/12 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 马鲁晋 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极光谱响应和稳定性的单色光照射条件激活方法，即在超高真空激活系统中，采用在红光波段的单色光光照下进行激活。包括如下步骤：1、对GaAs光电阴极进行脱脂清洗；2、对GaAs光电阴极进行化学刻蚀；3、在超高真空系统中对GaAs光电阴极进行高温净化；4、对净化后的GaAs光电阴极在红光波段的单色光光照下进行(Cs，O)激活。通过上述方式，本发明可以得到光谱响应更高、稳定性更好的GaAs光电阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 光电阴极 光谱响应 单色光照射 单色光 激活 波段 红光 光照 超高真空系统 超高真空 高温净化 化学刻蚀 激活系统 条件激活 脱脂清洗 净化 | ||
【主权项】：
1.一种提高GaAs光电阴极光谱响应和稳定性的单色光照射激活方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、脱脂清洗，将GaAs光电阴极放入有机溶剂进行脱脂清洗；步骤2、化学刻蚀，将脱脂后的GaAs光电阴极放入酸溶液中进行刻蚀；步骤3、高温净化，将刻蚀后的GaAs光电阴极放入超高真空系统中进行高温加热净化；步骤4、(Cs，O)激活，对经过净化的GaAs进行(Cs，O)激活。
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