[发明专利]一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法有效
| 申请号： | 201710782391.0 | 申请日： | 2017-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN109427518B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张益军;张景智;冯琤;张翔;钱芸生;张俊举;戴庆鑫 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01J9/12 | 分类号： | H01J9/12 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 马鲁晋 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法，即在超高真空激活系统中，采用波长为532nm的单色光源替代传统的卤坞灯光源进行激活。其激活步骤包括：1.对待激活的GaAs样品进行化学清洗；2.对化学清洗后的样品进行高温净化；3.采用波长为532nm的单色光源照射阴极表面，通过Cs源持续，氧源断续的工艺对样品进行激活。通过上述方法所获得的GaAs光电阴极在量子效应和稳定性上都有了明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gaas 光电 阴极 量子 效率 寿命 激活 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、对待激活样品进行化学清洗；步骤2、对化学清洗后的样品进行高温净化；步骤3、以波长为532nm的单色光源照射光电阴极表面，开启铯源并始终保持开启状态，光电流逐渐上升；步骤4、光电流达到峰值并下降，当下降到峰值的75％—85％时开启氧源，在光电流出现新的峰值时关闭氧源；步骤5、重复步骤4，直到光电流的峰值电流不再增加时，先后关闭氧源和铯源，结束激活过程。
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