[发明专利]输入信号摆幅增强型信号传输电路

摘要

本发明属于集成电路设计技术领域，具体为一种信号传输电路，该输入信号摆幅增强型信号传输电路包括一个电荷传输MOSFET管S、一个负电压传输MOSFET管B、一个电压开关K、一个负电压产生电路、一个正负电压时钟产生电路、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、PMOS管M3、第一电容C1和第二电容C2。其优点是：本发明所提供的输入信号摆幅增强型信号传输电路，克服了现有信号传输电路中信号摆幅受限的问题，可以广泛应用于各类信号处理电路中。

主权项

1.一种输入信号摆幅增强型信号传输电路，其特征是：包括一个电荷传输MOSFET管S、一个负电压传输MOSFET管B、一个电压开关K、一个负电压产生电路、一个正负电压时钟产生电路、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、PMOS管M3、第一电容C1和第二电容C2；对应连接关系为：第一NMOS管M1的栅端连接到电荷待传输节点Ni，即电荷传输MOSFET管S的源极；第一NMOS管M1的源端和衬底连接到地电平，第一NMOS管M1的漏端连接到第二NMOS管M2的源端；第二NMOS管M2的漏端连接到PMOS管M3的漏端和电荷传输MOSFET管S的栅端，第二NMOS管M2的栅端连接到第一偏置电压，第二NMOS管M2的衬底接地电平；PMOS管M3的栅端连接到第二偏置电压，PMOS管M3的源端和衬底连接到电源电压；电荷传输目标节点No，即电荷传输MOSFET管S的漏极，通过第二电容C2接电荷传输控制信号Ck1n；电荷待传输节点Ni通过第一电容C1接电荷传输控制信号Ck1；电荷传输MOSFET管S的衬底连接到电压开关K的上端，电荷传输MOSFET管S的衬底还连接到负电压传输MOSFET管B的漏端；电压开关K的下端接地电平，其导通和关断受电荷传输控制信号Ck1控制；负电压传输MOSFET管B的衬底和源端连接到负电压产生电路的输出端，负电压传输MOSFET管B的栅端连接到正负电压时钟产生电路的输出端；负电压产生电路的第一和第二输入端分别连接电荷传输控制信号Ck1和电荷传输控制信号Ck1n，正负电压时钟产生电路的第一和第二输入端分别连接电荷传输控制信号Ck1和电荷传输控制信号Ck1n；当进行电荷传输时，所述负电压传输MOSFET管B的栅极接高电平，负电压传输MOSFET管B处于导通状态，所述电荷传输MOSFET管S的衬底接负电压；当电荷传输结束后，所述负电压传输MOSFET管B的栅极接负电压，所述负电压传输MOSFET管B处于关断状态，所述电荷传输MOSFET管S的衬底接地电平；其中，所述高电平为大于零电位的正电压；所述地电平为零电位；所述负电压为小于地电平的电压。