[发明专利]一种提高氮化硅薄膜富含氢的方法有效
| 申请号： | 201710784020.6 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN107507762B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 程平 | 申请（专利权）人： | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/34;C23C16/513 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 于桂贤 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高氮化硅薄膜富含氢的方法，采用管式PECVD镀膜工艺对硅片进行多层镀膜，在相邻两层镀膜步骤之间增加降温增压富含氢的步骤，降温能促进氢离子的内部扩散远大于氢的外扩散，钝化效果更好，减少氢离子高温下溢出，有效增加开路电压和短路电流；由于开始反应前NH3是过量，氮的等离子体已经均匀分散在硅片表面，再进行工艺能够保证氮化硅在片内均匀沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氮化 薄膜 富含 技术 | ||
【主权项】：
1.一种提高氮化硅薄膜富含氢的方法，其特征在于：采用管式PECVD镀膜工艺对硅片进行多层镀膜，在相邻两层镀膜步骤之间增加降温增压富含氢的步骤，所述降温增压富含氢的步骤具体包括：(1)炉管内只通入NH3气体，流量为5000±500sccm，射频功率为5.5±2kW，压强维持在1400±200mtorr，射频开放次数60±10次，时间为60±20s；(2)炉管降温同时继续通入NH3气体进行电离，炉管降温速度达到15℃/min，降温1‑2min钟，温度达到430±50℃，压强增加到1600±200mtorr。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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