[发明专利]金属氧化物核壳纳米片阵列电极材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710784067.2 申请日: 2017-09-04
公开(公告)号: CN107705999B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 韩丹丹;其他发明人请求不公开姓名 申请(专利权)人: 吉林化工学院
主分类号: H01G11/46 分类号: H01G11/46;H01G11/86
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 132022 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 专利涉及金属氧化物核壳纳米片阵列电极材料的制备方法,所得的四氧化三钴纳米片骨架具有较好的平行多层结构和取向性,复合后的材料具有海绵体的多孔结构,且保持了骨架原有的有规律取向,与普通相互交叉片不同,近乎平行的纳米片提供了长程有序、稳定统一的导电路径,有利于电子的顺利传递。核壳材料的厚度为200‑500 nm,壳层厚度为5‑15 nm,适当的壳层厚度、多孔结构和垂直生长,使得核材料的电化学特性得到充分发挥,电化学测试结果表明,在电流密度为0.5 A·g‑1时,单电极比容量为715 F·g‑1,当电流密度增大到8 A·g‑1时,比容量的保持率为72%。
搜索关键词: 金属 氧化物 纳米 阵列 电极 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种Co3O4@NiO核壳纳米片阵列电极材料,其特征在于,所述电极材料是直接生长在导电集流体泡沫镍上的,复合后的Co3O4@NiO核壳纳米片具有海绵体的多孔结构,二维核壳纳米片保持了Co3O4纳米片阵列骨架原有的平行多层结构和取向性,核壳纳米片的厚度为200‑500 nm,壳层厚度为5‑15 nm。
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