[发明专利]一种背光不良PCB返工工艺在审
申请号: | 201710788326.9 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN107529285A | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 李雄仔;蒋善刚;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 奥士康精密电路(惠州)有限公司 |
主分类号: | H05K3/22 | 分类号: | H05K3/22 |
代理公司: | 惠州创联专利代理事务所(普通合伙)44382 | 代理人: | 任海燕 |
地址: | 516223 广东省惠*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种背光不良PCB返工工艺,包括以下步骤(1)对背光不良PCB进行第一次沉铜;(2)对背光不良PCB进行第一次电镀;(3)对背光不良PCB进行第二次沉铜;(4)对背光不良PCB进行第二次电镀;并对这几个步骤的主要控制参数进行管控,实现返工后PCB背光效果良好,且不再存在孔开路风险。 | ||
搜索关键词: | 一种 背光 不良 pcb 返工 工艺 | ||
【主权项】:
一种背光不良PCB返工工艺,包括以下步骤:(1)对背光不良PCB进行第一次沉铜;(2)对背光不良PCB进行第一次电镀;(3)对背光不良PCB进行第二次沉铜;(4)对背光不良PCB进行第二次电镀;所述的第一次沉铜和第二次沉铜均包括以下步骤:粗磨→膨胀→除胶→三级水洗→中和→二级水洗→除油→稀酸洗→二级水洗→微蚀→预浸→活化→二级水洗→加速→一级水洗→沉铜→二级水洗;其特征在于:步骤1所述的第一次沉铜的主要控制参数为:高锰酸钾浓度为75±10g/L,除胶速率:0.1‑0.4mg/cm2,微蚀速率:0.5‑1.5um/min,沉铜时PCB在沉铜槽内的沉积速率:8‑22u/min;步骤3所述的第二次沉铜的主要控制参数为:高锰酸钾浓度为75g/L,除胶速率:0.2‑0.3mg/cm2,微蚀速率:0.7‑0.9um/min,沉铜时PCB在沉铜槽内的沉积速率:13‑17u/min。
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