[发明专利]用于刻划密封结构的方法及设备在审
| 申请号： | 201710789958.7 | 申请日： | 2017-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107799485A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | S·幕克吉;R·塞尔瓦拉杰;V·戈皮纳坦 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于刻划密封结构的方法及设备。实例性集成电路裸片(图8，801)包含多个下部层级导体层、位于所述多个下部层级导体层之间的多个下部层级绝缘体层、垂直延伸穿过所述下部层级绝缘体层的多个下部层级导通孔、上覆于所述下部层级导体层上的多个上部层级导体层、位于所述上部层级导体层之间且环绕所述上部层级导体层的多个上部层级绝缘体层、多个上部层级导通孔；至少两个刻划密封(805、807)，其经布置以形成从半导体衬底垂直延伸到在所述集成电路裸片的上表面处的钝化层的垂直阻挡层；及至少一个开口(809)，其垂直延伸穿过所述至少两个刻划密封中的一者且延伸穿过所述上部层级导体层、所述上部层级导通孔层、所述下部层级导体层及所述下部层级导通孔层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 刻划 密封 结构 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种集成电路裸片，其包括：上覆于半导体衬底上的多个下部层级导体层、位于所述多个下部层级导体层之间且环绕所述下部层级导体层的多个下部层级绝缘体层、垂直延伸穿过所述下部层级绝缘体层且电耦合所述下部层级导体中的若干者的多个下部层级导通孔、上覆于所述下部层级导体层上的多个上部层级导体层、位于所述上部层级导体层之间且环绕所述上部层级导体层的多个上部层级绝缘体层、垂直延伸穿过所述上部层级绝缘体层且耦合所述上部层级导体层的多个上部层级导通孔；至少两个刻划密封，其定位于所述集成电路裸片的外围处且彼此间隔开，所述至少两个刻划密封包含所述上部层级导体层、所述上部层级导通孔、所述下部层级导体层及所述下部层级导通孔以形成从所述半导体衬底垂直延伸到在所述集成电路裸片的上表面处的钝化层的垂直阻挡层；及至少一个开口，其垂直延伸穿过所述至少两个刻划密封中的相应一者且延伸穿过：所述上部层级导体层、所述上部层级导通孔层、所述下部层级导体层及所述下部层级导通孔层。
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